Ang YMIN Thin Film Capacitors ay Perpektong Kumplemento sa CoolSiC™ MOSFET G2 ng Infineon
Ang Bagong Henerasyon ng Infineon na Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFET G2 ay Nangunguna sa Mga Inobasyon sa Power Management. Ang YMIN Thin Film Capacitors, na may mababang disenyo ng ESR, mataas na rate ng boltahe, mababang leakage current, mataas na temperatura na katatagan, at mataas na kapasidad ng density, ay nagbibigay ng malakas na suporta para sa produktong ito, na tumutulong sa pagkamit ng mataas na kahusayan, mataas na pagganap, at mataas na pagiging maaasahan, na ginagawa itong isang bagong solusyon para sa conversion ng kuryente sa mga electronic device.
Mga Tampok at Kalamangan ng YMINManipis na Film Capacitors
Mababang ESR:
Ang mababang ESR na disenyo ng YMIN Thin Film Capacitors ay epektibong pinangangasiwaan ang high-frequency na ingay sa mga power supply, na umaakma sa mababang pagkawala ng switching ng CoolSiC™ MOSFET G2.
High Rated Voltage at Mababang Leakage:
Ang mataas na rate ng boltahe at mababang leakage kasalukuyang katangian ng YMIN Thin Film Capacitors ay nagpapahusay sa mataas na temperatura na katatagan ng CoolSiC™ MOSFET G2, na nagbibigay ng matatag na suporta para sa katatagan ng system sa malupit na kapaligiran.
Katatagan ng Mataas na Temperatura:
Ang mataas na temperatura na katatagan ng YMIN Thin Film Capacitors, na sinamahan ng superyor na thermal management ng CoolSiC™ MOSFET G2, ay higit na nagpapahusay sa pagiging maaasahan at katatagan ng system.
Mataas na Kapasidad Densidad:
Ang mataas na density ng kapasidad ng mga thin film capacitor ay nag-aalok ng higit na kakayahang umangkop at paggamit ng espasyo sa disenyo ng system.
Konklusyon
Ang YMIN Thin Film Capacitors, bilang perpektong kasosyo para sa CoolSiC™ MOSFET G2 ng Infineon, ay nagpapakita ng malaking potensyal. Ang kumbinasyon ng dalawa ay nagpapabuti sa pagiging maaasahan at pagganap ng system, na nagbibigay ng mas mahusay na suporta para sa mga elektronikong aparato.
Oras ng post: Mayo-27-2024